나노소자및시스템 연구실 장정윤, 이연재, 노하영 학부생의 연구 성과인 “Advanced Polynomial Y-Function Method for Precise Mobility Characterization in 2D FETs”가 SCIE 등재 저널인 Scientific Reports 에 게재되었다.

본 연구는 차세대 반도체 소자로 주목받는 2차원(2D) 반도체 트랜지스터의 이동도(mobility)를 정밀하게 추출할 수 있는 polynomial Y-function 기반의 분석 기법을 제안하였다. 본 논문에서 제안한 방법은 비이상적 요소들을 수학적으로 보정하여, 임계 전압(VT)과 이동도를 동시에 높은 정확도로 추출할 수 있는 분석 프레임워크를 제공한다. 특히, 이동도 저하의 물리적 원인(예: 표면 산란, 전기장 의존 효과 등)을 항목별로 분리하여 정량적으로 분석할 수 있는 장점을 지닌다. 제안된 기법은 실제 MoS2 기반 트랜지스터에 적용되었으며, 절연막이 얇은 구조에서는 게이트 전기장이 강해짐에 따라 표면 산란이 증가하고, 이로 인해 이동도가 급격히 저하되는 현상을 규명하였다. 

한편, 본 논문의 공동 제1저자인 장정윤, 이연재, 노하영 학부생은 2024년 여름방학 기간 중 본 연구실 인턴십 프로그램을 통해 본 연구를 수행하였으며, 학부생 신분으로 SCI급 국제 저널에 논문을 게재하는 성과를 달성하였다.

해당 논문은 https://doi.org/10.1038/s41598-025-13658-0 에서 확인할 수 있다.